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            國(guó)內(nèi)電子鋁箔技術(shù)發(fā)展的新趨勢(shì)

             更新時(shí)間:2013-01-21 點(diǎn)擊量:1131

            國(guó)內(nèi)電子鋁箔技術(shù)發(fā)展的新趨勢(shì)

            國(guó)內(nèi)的鋁電解電容器發(fā)展也很快,據(jù)統(tǒng)計(jì),1997年產(chǎn)量約為150億只,估計(jì)近期可能已超過(guò)200億只。從我國(guó)電子行業(yè)的發(fā)展?fàn)顩r看,近幾年鋁電解電容器的產(chǎn)量還會(huì)有較大的提高。目前我國(guó)電解電容器用鋁箔一部分用國(guó)產(chǎn)箔,還有相當(dāng)一部分依賴進(jìn)口。為了改變這種局面,國(guó)內(nèi)廠家,在國(guó)產(chǎn)化方面做了許多工作。前不久西南鋁電解電容器用高壓鋁箔研究項(xiàng)目開(kāi)發(fā)成功,產(chǎn)品質(zhì)量達(dá)到較高水平,已*可以代替進(jìn)口。應(yīng)該說(shuō),經(jīng)過(guò)10多年發(fā)展,特別是zui近五六年來(lái),我國(guó)電子鋁箔的質(zhì)量已有了很大提高。
              電解電容器中用的鋁箔屬于電子鋁箔的范疇,這是一種在極性條件下工作的腐蝕材料。不同極性的電子鋁箔要求有不同的腐蝕類型。高壓陽(yáng)極箔為柱孔狀腐蝕,低壓陽(yáng)極箔為海綿狀腐蝕,中壓段的陽(yáng)極箔為蟲(chóng)蛀狀腐蝕。
              20世紀(jì)80年代以前,電解電容器大都是沿用手工化學(xué)腐蝕,80年代之后采用聯(lián)動(dòng)電化學(xué)腐蝕。手工腐蝕用的鋁箔純度較低(99.3%~99.7%),對(duì)鋁箔加工質(zhì)量的要求也不高。聯(lián)動(dòng)電化學(xué)腐蝕要求鋁箔的純度越來(lái)越高,對(duì)鋁箔的加工質(zhì)量也要求越來(lái)越精。從鋁的純度而言,20世紀(jì)80年代鋁純度為99.99%,迄今鋁純度已達(dá)99.993%。這是電極箔的要求,也是鋁加工行業(yè)的技術(shù)在進(jìn)步。
              鋁箔純度提高,當(dāng)然對(duì)電極箔質(zhì)量提高帶來(lái)好的影響,但另一方面是成本在提高。與此同時(shí),腐蝕介質(zhì)也在不斷變化,有的介質(zhì)濃度提高,有的介質(zhì)類型在變化,這些都對(duì)環(huán)保工作不利,導(dǎo)致生產(chǎn)企業(yè)環(huán)保任務(wù)繁重,由此可能會(huì)要求鋁的純度有所降低。從日本鋁箔的成分分析中,發(fā)現(xiàn)已有這方面的趨勢(shì)。
              腐蝕化成箔質(zhì)量的提高與鋁光箔質(zhì)量的進(jìn)步是分不開(kāi)的,從日本的來(lái)看,負(fù)極箔的高峰期為20世紀(jì)80年代,陽(yáng)極箔的高峰期有兩個(gè):一個(gè)高峰約在1977~1978年,另一個(gè)高峰期在1983年左右。這些高峰期說(shuō)明技術(shù)在飛速進(jìn)步。
              從世界范圍看,電子鋁箔發(fā)展的趨勢(shì)大致如下:
              高壓陽(yáng)極箔
              高壓陽(yáng)極箔可以分成兩類,一類是高壓箔;一類是普通高壓箔。
              高壓陽(yáng)極箔特點(diǎn)是“二高一薄”,即高純、高立方織構(gòu)和薄的表面氧化膜。這類產(chǎn)品*,但成本高。鋁純度>99.99%,立方織構(gòu)96%。真空熱處理在10-3pa~10-5Pa條件下進(jìn)行。
              普通高壓陽(yáng)極箔是一種經(jīng)濟(jì)實(shí)用的高壓陽(yáng)極箔,鋁純度>99.98%,立方織構(gòu)>92%,真空熱處理在10-1pa~10-2pa條件下進(jìn)行。
              低壓陽(yáng)極箔
              低壓陽(yáng)極箔的工藝比較復(fù)雜,我們認(rèn)為不可能采用一種方法來(lái)滿足各段電壓的要求,大致可以劃分如下。
              小于35Vf的低壓箔,應(yīng)發(fā)展硬態(tài)高純鋁箔的腐蝕,特點(diǎn)是硬態(tài)可以提供數(shù)量多的腐蝕細(xì)小核心和腐蝕通道,至于直流腐蝕和交流腐蝕哪一種電源好些需要研究。業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為該法的比容較之軟態(tài)法的可以提高5μF/cm2。
              大于50Vf的低壓箔,軟態(tài)高純鋁箔提供了諸多晶面位向差的條件,可以獲得蝕孔較大的腐蝕箔。
              負(fù)極箔
              負(fù)極箔也有軟態(tài)和硬態(tài)之分。日本以軟態(tài)電化學(xué)腐蝕為主,西歐以硬態(tài)化學(xué)腐蝕為主。兩者各有其優(yōu)缺點(diǎn),軟態(tài)用純度高的鋁箔(>99.85%),無(wú)銅,質(zhì)量?jī)?yōu),成本高;硬態(tài)用的是純度低的含銅的鋁箔,成本低,比容易于提高。為了發(fā)展靜電容量適中,成本低的無(wú)銅或低銅的負(fù)極箔,可以用AL-Fe、AL-Mg等合金。其中高純低銅鋁箔,以高純鋁為基添加微量銅作為腐蝕核心,比容可與高純軟態(tài)電化學(xué)腐蝕方法的鋁箔相媲美,因其成本低廉,應(yīng)該會(huì)贏得市場(chǎng)歡迎。

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